마스크 측정기

Nano-machining Defect Repair System

• 설치기관

  삼성전자(주)

• 구축기간

  2008~2011년

• 구축장소

  경기도 화성시 삼성1로 275-18

시설소개

• EUV mask의 패턴 결함 수정을 목적으로 도입
• 32nm급 Device 양산에 필요한 EUV mask의 24nm 패턴 결함 수정 가능
• EUV 노광기인 NXE3100 장비로 Wafer 전사 평가를 통해 결함 수정 성능 평가
• 삼성전자 반도체연구소 마스크개발팀에서 32nm급 EUV mask 개발에 활용

활용분야

• EUV mask의 제작에서 수정 공정에 활용
• 시설을 이용하여 32nm급 EUV mask의 패턴 결함인 약 24nm 크기까지 수정 가능

핵심어

• EUV mask｜32nm device｜EUV Lithography｜Repair｜Defect

대표장비

• 마스크측정기(Nano-Machining Defect Repair Tool) : Mefect Size 24nm 수정