반도체공동연구소

Inter-University Semiconductor Research Center

• 설치기관

  서울대학교

• 구축기간

  1985~1988년

• 구축장소

  서울특별시 관악구 관악로1

시설소개

• 반도체 분야의 전국대학 기초 공동연구를 위한 인프라 제공
• 전국 대학의 반도체 관련 연구 교수를 위한 공동연구 시설을 제공하고, 이를 위하여 필요한 장비 및 CAD 환경을 제공
• 미세가공 기술이 물리, 화공, 화학, 생명공학 등의 연구 지원
• 학부 과정과 석 · 박사 과정 학생들을 위한 실습교육 지원
• 강의 위주로 되어 있는 반도체 분야 교육에서 반도체 소자 또는 직접 회로의 설계과정이나 제조 공정 실습 기회 제공
• 산업체 위탁교육 및 산 · 학 · 연 공동연구
• 기술 인력에 대한 실무 능력과 재교육 기회를 제공하기 위하여 단기간 실습 프로그램인 반도체 공정교육(2주), 기본공정교육(1주), 하기방학 중 기본공정교육(4주), VLSI설계교육(1주), 통신 멀티미디어 설계교육(1주), 마이크로프로세서 설계교육(1주)을 실시

활용분야

• 나노물리연구
• 초미세기술연구
• 나노/마이크로시스템 및 제어연구
• 나노공정 연구
• 광공학 및 양자전자 연구
• 미세소자재료 연구
• 분자나노소자 연구
• 그래핀/나노소재 연구
• 에너지 환경 융합 연구

핵심어

• CMOS｜MEMS｜화합물반도체｜Bio｜Display

대표장비

• 포토레지스트노광기(E-BEAM Lithography) : 30㎚ Direct Writing, 100keV
• 정밀패턴노광기(I-line Stepper with Overlay) : λ=365㎚
• 이온주입기(ION Implanter) : 5~200keV
• 산화막/질화막 식각기(SiO/SiN Etcher) : Oxide and Nitride Etching
• 열산화반응기(Furnace) : 400~1100℃